直线涨停！A股盘中，集体拉升，什么情况？

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　　市场活跃度再度回升！

　　11月13日，A股各大指数集体上涨，个股涨多跌少。其中，福建板块大幅拉升，、直线涨停，、、等纷纷跟涨。午后，也大幅异动，该股从拉升动作开始，至涨停板，用时仅2分钟。截至下午收盘时，福建板块涨停的个股多达12只。

　　存储芯片概念股今日也集体走强，、等多股涨停；盘中一度大涨超19%，股价再创历史新高。有分析指出，DRAM与NAND供给紧张，价格持续上行，存储芯片产业正迎来结构性繁荣期。

　　福建板块再度异动

　　在高位横盘近10个交易日后，福建板块今日（11月13日）再度迎来大涨行情，通达信福建板块指数涨幅接近4%，创出历史新高。

　　个股方面，开盘10分钟内，厦工股份、龙洲股份就被资金直线拉升至涨停板；下午13时16分，合兴包装也直线拉升，至13时18分，该股封死涨停板；紧随其后，也在10分钟内拉升至涨停板。

　　截至下午收盘时，福建板块涨停的股票有12只，分别为龙洲股份、、、、厦工股份、、、金龙汽车、平潭发展、海欣食品、、合兴包装。其中，三木集团已连续5个交易日涨停，东百集团连续4个交易日涨停。

　　此外，宁德时代放量大涨超7%，创出近1个多月新高，全天成交额接近230亿元。日前，宁德时代董事长曾毓群在2025世界动力电池大会上表示，目前，公司量产的第四代磷酸铁锂电池，在高比能、长寿命、高功率方面，全面领先行业主流的第二代、第三代产品。在此基础上，近期，公司的第五代产品已经开始量产，在能量密度和循环寿命上实现了新的突破。

　　曾毓群还表示，公司今年推出的‘钠新’钠离子电池，有效降低对锂资源依赖，更安全、更低碳，并解决了低温性能痛点，为北方高纬度地区的新能源车普及提供了新路径。而在全固态电池方面，公司的研究和产业化进度也处于全球前列。

　　另据厦门日报11月13日报道，随着全球新能源产业加速升级，绿色低碳产品需求持续释放，福建省锂电池出口呈现强劲增长态势。厦门海关12日发布的数据显示，1月至10月，福建省锂电池出口破千亿大关，达到1083.8亿元，创历史同期新高，占同期福建省出口总值的11.3%。

　　作为福建省优势特色产业，锂电池产业以13.7%的显著增长，有力带动福建全省出口整体逆势增长1.3个百分点。据厦门海关介绍，民营企业是福建省锂电池出口的绝对主力。1月至10月，福建省民营企业出口锂电池占比超九成，出口值达1033.4亿元，在全国各省中排名第一。

　　数据显示，1月至10月，欧美仍是福建省锂电池出口的主要市场。同时，新兴市场开拓成效显著，对印度、韩国等出口增长势头迅猛，为出口增长注入新活力。

　　存储芯片概念股走强

　　今日盘中，存储芯片概念股也集体走强，板块指数整体涨幅一度超过2%。截至下午收盘时，存储芯片板块上涨1.6%，天奥电子、诚邦股份、、涨停，佰维存储涨超13%，、涨超12%，涨超8%。

　　日前，有外媒报道称，三星电子、SK海力士和铠侠等正在谋划推动NAND价格上调。据悉，三星目前正与海外大型客户讨论明年的供货量，并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。与此同时，三星、SK海力士、铠侠、美光这四大存储龙头今年下半年都纷纷削减NAND闪存供应量。报道称，北美大型科技企业担心NAND价格飙升，已开启“恐慌性囤货”，部分供应商明年NAND供货量已被抢订一空。

　　近日发布研报称，存储芯片产业正迎来结构性繁荣期。HBM、HBF等高带宽存储技术的快速发展，加之产能优先向高端产品倾斜，使得供应商掌握定价权，传统DRAM与NAND供给紧张，价格持续上行。行业巨头如SK海力士与三星电子在HBM市场的领先地位进一步强化其盈利能力，同时带动上游设备、材料、封装厂商及下游AI服务器、云计算与终端设备的配套增长。

　　开源证券指出，在AI超级周期的拉动之下，存储芯片正面临短缺。从需求层面看，AI服务器对存储的需求呈指数级增长，单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为3倍，2025年AI对存储的需求占比来到40%，未来或将进一步提升。

　　此外，HDD的产能紧张也导致SSD为代表的半导体存储渗透加速；供给层面而言，三星、海力士等原厂均表示未来将把大部分资本开支投向持续紧缺的HBM及高利润率的产品。结果而言，据半导体产业观察，传统DRAM可能在2027年后才开始回稳，NAND与高容量存储需求可能会持续至2028年甚至更久，因此，国内存储厂商扩产有望在缺货的情况之下带动份额扩张，扩产的必要性在提升。

　　开源证券表示，从工艺层面而言，存储扩产将会显著带动刻蚀与薄膜设备需求，如3DNAND涉及的关键工艺包含ONON交替沉积、高深宽比通孔刻蚀、孔壁ONO沉积、台阶刻蚀、狭缝刻蚀等；而DRAM涉及的关键工艺包括多重曝光、电容高深宽比刻蚀和沉积、HKMG沉积等。当前国产设备公司在各类工艺取得突破，如、部分高深宽比刻蚀设备已经在下游客户产线实现量产，应用于先进制程的薄膜沉积机台也已在Q3实现量产，同时明场纳米图形晶圆缺陷检测设备也已进入先进产线验证。因此，持续突破下，存储设备国产化率有望步入增长快车道。

　

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